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| 品牌 | 冠亚制冷 | 价格区间 | 20万-50万 |
|---|---|---|---|
| 产地类别 | 国产 | 应用领域 | 化工,生物产业,石油,制药,综合 |
无锡冠亚冷热一体机典型应用于：
高压反应釜冷热源动态恒温控制、双层玻璃反应釜冷热源动态恒温控制、
双层反应釜冷热源动态恒温控制、微通道反应器冷热源恒温控制；
小型恒温控制系统、蒸饱系统控温、材料低温高温老化测试、
组合化学冷源热源恒温控制、半导体设备冷却加热、真空室制冷加热恒温控制
型号 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介质温度范围 | -10℃～+200℃ | ||||||||||||
控制系统 | 前馈PID ,无模型自建树算法，PLC控制器 | ||||||||||||
温控模式选择 | 物料温度控制与设备出口温度控制模式 可自由选择 | ||||||||||||
温差控制 | 设备出口温度与反应物料温度的温差可控制、可设定 | ||||||||||||
程序编辑 | 可编制5条程序，每条程序可编制40段步骤 | ||||||||||||
通信协议 | MODBUS RTU 协议 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入温度反馈 | PT100或4～20mA或通信给定（默认PT100) | ||||||||||||
温度反馈 | 设备导热介质 温度、出口温度、反应器物料温度（外接温度传感器）三点温度 | ||||||||||||
导热介质温控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反应物料温控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加热功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量压力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
压缩机 | 海立 | 艾默生谷轮/丹佛斯涡旋压缩机 | |||||||||||
膨胀阀 | 丹佛斯/艾默生热力膨胀阀 | ||||||||||||
蒸发器 | 丹佛斯/高力板式换热器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色触摸屏，温度曲线显示、记录 | ||||||||||||
安全防护 | 具有自我诊断功能；冷冻机过载保护；高压压力开关，过载继电器、热保护装置等多种安全保障功能。 | ||||||||||||
密闭循环系统 | 整个系统为全密闭系统，高温时不会有油雾、低温不吸收空气中水份，系统在运行中不会因为高温使压力上升，低温自动补充导热介质。 | ||||||||||||
制冷剂 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 温度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (风）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(风) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正压防爆(水）cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常规重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
电源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
选配风冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / | |||||||
半导体生产过程是一个复杂且精细的工艺过程，其中温度控制是影响产品质量和性能的关键因素之一。接下来，冠亚制冷为您介绍半导体生产过程测试环节温度控制装置的使用注意事项，以确保生产过程的稳定性和产品质量的可靠性。
一、半导体生产过程测试环节温度控制装置的选择与安装
在选择温度控制装置时，应根据半导体生产过程的实际需求进行选型。考虑测试环节的温度范围、精度要求、响应时间等因素，确保所选装置能够满足生产过程的温度控制需求。同时，注意选择具有良好稳定性和可靠性的温度控制装置，以保证生产过程的顺利进行。
在安装半导体生产过程测试环节温度控制装置时，应遵循相关规范，确保装置安装稳固、连接可靠。对于需要接入电源的温度控制装置，应使用符合要求的电源插座，并确保电源电压稳定，避免对装置造成损坏。此外，安装位置的选择也很重要，应确保装置远离热源、震动源和腐蚀性气体，以保证其正常运行和延长使用寿命。
二、半导体生产过程测试环节温度控制装置的操作与维护
在操作半导体生产过程测试环节温度控制装置时，应遵循设备的操作指南，按照规定的步骤进行操作。在测试前，应对装置进行预热和校准，以确保其准确性。在测试过程中，应密切关注温度控制装置的运行状态，如发现异常情况应及时处理。同时，应避免在装置周围放置杂物，以免影响其正常运行。
对于半导体生产过程测试环节温度控制装置的维护，应定期进行清洁和检查。清洁时，应使用干燥的软布擦拭装置表面，避免使用腐蚀性清洁剂。检查时，应关注装置的连接是否紧固、传感器是否损坏等。如发现异常情况，应及时联系专业人员进行维修或更换。
三、半导体生产过程测试环节温度控制装置的安全使用
在使用半导体生产过程测试环节温度控制装置时，应注意安全事项。应避免在高温环境下长时间操作装置，以免烫伤或引发火灾等事故。其次，对于需要接触高温部分的操作，应佩戴防护手套和防护眼镜等个人防护装备，确保操作安全。
四、半导体生产过程测试环节温度控制装置的记录与监控
为确保半导体生产过程的质量追溯和数据分析，应对温度控制装置的使用情况进行记录和监控。记录内容包括但不限于测试时间、温度范围、温度波动等关键参数。
总之，半导体生产过程测试环节温度控制装置的使用注意事项涵盖多个方面。只有遵循这些注意事项，才能确保温度控制装置在半导体生产过程中发挥作用，提高产品质量和生产效率。
TTTT反应釜pid温度控制 防爆高低温恒温循环装置
反应釜pid温度控制 防爆高低温恒温循环装置
